ГламурАрхитектураДетиЖанрЛомографияЖивотныеКомпьютернаяГрафикаМакроМоделиНатюрмортНюПанорамаЭкспериментПейзажВодный мирПортретРекламное фотоРелигияРепортажСвадебное фотоСпортТехникаМонохромное фотоЮморНочное фотоХудожественная фотографияПредметная фотографияПлёночная фотографияРеставрационные3DАбстракцияМинимализмHDRStreet photographyДругое

Новости

17
Октября
2015



HP и SanDisk создадут новый тип памяти

Новости

рейтинг 1 просмотры 7178

Компании Hewlett-Packard и SanDisk договорились объединить усилия и вместе разработать новый тип энергонезависимой памяти, который был бы в тысячу раз быстрее и устойчивее к износу, чем флеш-накопители. Новые чипы памяти задумываются не только надежными, но также емкими и дешевыми, чтобы вытеснить с рынка динамическую оперативную память с произвольным доступом (DRAM).

В рамках сотрудничества партнеры задействуют две технологии, которые они разрабатывали по отдельности: мемристоры HP и так называемую резистивную память с произвольным доступом (RRAM) SanDisk. В обеих применяются материалы, которые изменяют свое электрическое сопротивление в присутствии тока. Инженеры HP помогут в разработке новой технологии, а SanDisk — будет производить чипы.

Партнеры уже заявили, что они не намерены лицензировать новую технологию другим производителям. По предварительной оценке, она появятся на рынке через 3–5 лет.

Разработку RRAM-памяти ведут и другие компании, в частности Crossbar. А прошлым летом ученые из американского Университета Райса представили технологию производства резистивной памяти, которая позволяет создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. У одного из прототипов плотность хранения данных была настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку мог быть умещен терабайт памяти.

Разработка HP и SanDisk будет конкурировать с совершенно новым классом энергонезависимой памяти 3D Xpoint, который компании Intel и Micron анонсировали в июле. Их технология обладает таким же достоинством — она в тысячу раз быстрее и долговечнее, чем распространенная сегодня флеш-память NAND. Кроме того, плотность размещения компонентов новой разработки в десять раз выше, чем у стандарта NAND. Все это приведет к многократному увеличению скорости доступа процессора к информации, повышенной прочности и высоким показателям чтения/записи данных.

Источник: The Wall Street Journal

BenQ (4) Canon (59) Casio (4) Epson (10) Exemode (1) Film (1) Fujifilm (24) Hasselblad (10) Kodak (11) Komamura (1) Leica (15) LG (1) Lomo (3) Minox (1) Nikon (57) Olympus (25) Panasonic (22) Pentax (22) Polaroid (8) Praktica (2) Printers (1) Ricoh (7) Samsung (22) Scanners (3) Sigma (3) Sony (51) Аксессуары (31) Бирма (1) Вспышки (7) Выставки (645) Гаджеты для мобилографии (1) Германия (2) Дания (1) Исландия (1) История фотографии Казахстана (2) История фотографии России (5) История фотографии Чехии (1) История фотографии Японии (3) История фотографии (54) Казахстан (1) Карты памяти (9) Китай (1) КМЗ им.Зверева (4) Конкурсные статьи (13) Конкурсы (134) Лаос (1) Литва / Lithuania (1) Личности (9) Мастер-Класс, Школы (128) Мероприятия (115) Мир моды (142) Модные события (115) Обработка фотографий (29) Объективы Canon (23) Объективы Carl Zeiss (12) Объективы Cosina (2) Объективы Kenko Tokina (4) Объективы Lensbaby (1) Объективы Nikon (22) Объективы Olympus (3)